Galyum arsenayt'ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorAkbaş, Hasan
dc.contributor.authorÇelikkol, Hüseyin
dc.date.accessioned2024-06-11T20:35:06Z
dc.date.available2024-06-11T20:35:06Z
dc.date.issued1987
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü,en_US
dc.descriptionBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.en_US
dc.descriptionYüksek Lisansen_US
dc.description.abstract-III- Ö Z E T Bu çalışmada Galyum Arsenayt (GaAs) yarı-iletkeninin ışık etkisi altında fiziksel özellikleri ve özellikle foto-iletkenli- ğin "belirli şahitlere hağımlılığı araştırılmıştır. Bu münasehetle önce kısaca yarı-iletkenlerle ilgili genel kavramlar üzerinde durul muş tur» Yarı-iletkenlerin incelenmesinde en önemli yeri işgal eden "numune hazırlamak ile ilgili olarak kristalin parlatılması, kesilmesi, temizlenmesi ve kimyasal aşın- dırılması (Etch) anlatıldıktan sonra kısaca kontakt ve karsak fiziğinden söz edilmiştir..Son olarak f ot o-iletk enlik anlatılmış, gerekli deneyler yapılarak sonuçlar değerlendirilmiştir. Sonuç olarak hu araştırmada Galyum Arsenayt kristalinin par latılması, kesilmesi, temizlenmesi ve foto-iletkenliğinin ölçül mesi anlatılmış deneyler yapılarak sonuç tartışılmıştır.en_US
dc.description.abstract[Abstract Not Available]en_US
dc.identifier.endpage66en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14551/8964
dc.identifier.yoktezid1366en_US
dc.institutionauthorÇelikkol, Hüseyin
dc.language.isotren_US
dc.publisherTrakya Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleGalyum arsenayt'ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesien_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu