Galyum arsenayt'ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi
Küçük Resim Yok
Tarih
1987
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
-III- Ö Z E T Bu çalışmada Galyum Arsenayt (GaAs) yarı-iletkeninin ışık etkisi altında fiziksel özellikleri ve özellikle foto-iletkenli- ğin "belirli şahitlere hağımlılığı araştırılmıştır. Bu münasehetle önce kısaca yarı-iletkenlerle ilgili genel kavramlar üzerinde durul muş tur» Yarı-iletkenlerin incelenmesinde en önemli yeri işgal eden "numune hazırlamak ile ilgili olarak kristalin parlatılması, kesilmesi, temizlenmesi ve kimyasal aşın- dırılması (Etch) anlatıldıktan sonra kısaca kontakt ve karsak fiziğinden söz edilmiştir..Son olarak f ot o-iletk enlik anlatılmış, gerekli deneyler yapılarak sonuçlar değerlendirilmiştir. Sonuç olarak hu araştırmada Galyum Arsenayt kristalinin par latılması, kesilmesi, temizlenmesi ve foto-iletkenliğinin ölçül mesi anlatılmış deneyler yapılarak sonuç tartışılmıştır.
[Abstract Not Available]
[Abstract Not Available]
Açıklama
Bu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
Yüksek Lisans
Yüksek Lisans
Anahtar Kelimeler
Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
