III-V Yarıiletkenlerinden oluşan Heteroyapların Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile İncelenmesi
| dc.contributor.advisor | ||
| dc.contributor.author | Özkişi, Harun | |
| dc.date.accessioned | 2014-03-01T01:23:48Z | |
| dc.date.available | 2014-03-01T01:23:48Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.department | Enstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı | en_US |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14551/158 | |
| dc.identifier.yoktezid | 269622 | en_US |
| dc.language.iso | tr | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Diğer | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi | en_US |
| dc.subject | Örgü Sabiti Uyuşmayan Yarıiletkenler | en_US |
| dc.subject | Bulk Heteroyapılar | en_US |
| dc.subject | Etkin Potansiyel | en_US |
| dc.title | III-V Yarıiletkenlerinden oluşan Heteroyapların Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile İncelenmesi | en_US |
| dc.type | Master Thesis | en_US |
| dc.type.description | No: 0043695 | en_US |
