III-V Yarıiletkenlerinden oluşan Heteroyapların Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile İncelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2010
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi, Örgü Sabiti Uyuşmayan Yarıiletkenler, Bulk Heteroyapılar, Etkin Potansiyel
