Katkılı yarıiletken nanotellerin yapısal ve elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid193329en_US
dc.contributor.advisorDalgıç, Seyfettin
dc.contributor.authorGüler Özkapı, Sena
dc.date.accessioned2017-06-02T10:19:39Z
dc.date.available2017-06-02T10:19:39Z
dc.date.issued2016
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tezde, Zinc blende yapıdaki BN yarıiletkeninin bulk ve (001) yönü boyunca uzanan farklı çaplardaki nanotellerinin yapısal ve elektronik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi’ne dayanan Düzlem Dalga Öz Uyum Alan (PWSCF) programı kullanılarak incelenmiştir. BN yarıiletkeninden oluşturulan 0.72 nm, 0.92 nm ve 1.45 nm olmak üzere üç farklı çapta modellenen nanotellerin merkez atomu yerine Cr ve Mn atomları katkılanarak elektronik özellikleri araştırılmıştır. Cr ve Mn katkısının, nanotellerin bant aralığının daralmasına ve iletkenliğin artmasına neden olduğu belirlenmiştir. Spin polarize durumlar incelendiğinde 0.92 nm çaplı Cr katkılı BN nanotelinin toplam durum yoğunluğunun spin yukarı ve spin aşağı durumları simetrik bir yapı göstermektedir. Bununla beraber, diğer tüm nanotellerin toplam durum yoğunluklarından antisimetrik yapı elde edilmiştir.en_US
dc.description.abstractabstracten_US
dc.description.abstractIn this thesis, structural and electronic properties of bulk structure of BN semiconductor in Zinc blende and nanowires with different diameter in the (001) direction have been examined by using Plane Wave Self Consistent Field (PWSCF) based on Density Functional Theory. The electronic properties of BN semiconductor nanowires with different diameter 0.72 nm, 0.92 nm and 1.45 nm have been investigated by substitutioning centre atom of these nanowires with either Cr or Mn atoms. Substitution of Cr and Mn, the nanowires is determined that the band gap narrowing and cause increased conductivity. In the analysis of spin polarized states, it is observed that in 0.92 nm diameter Cr doped BN nanowire, spin up and spin down states show symmetric structure. However, for all other nanowires antisymmetric structure has been obtained from the total density of states.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14551/2241
dc.identifier.yoktezid423864en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherTrakya Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessen_US
dc.subjectNanotelen_US
dc.subjectKatkı Atomuen_US
dc.subjectYoğunluk Fonksiyonel Teorisien_US
dc.subjectBNen_US
dc.subjectNanowireen_US
dc.subjectDoped Atomen_US
dc.subjectDensity Functional Theoryen_US
dc.titleKatkılı yarıiletken nanotellerin yapısal ve elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesien_US
dc.title.alternativeTheoretical investigation of structural and electronic properties of doped semiconductor nanowiresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US
dc.type.descriptionNo: 0106897en_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
0141302.pdf
Boyut:
6.01 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.67 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu