Katkılı yarıiletken nanotellerin yapısal ve elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2016
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Özet
Bu tezde, Zinc blende yapıdaki BN yarıiletkeninin bulk ve (001) yönü boyunca uzanan farklı çaplardaki nanotellerinin yapısal ve elektronik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi’ne dayanan Düzlem Dalga Öz Uyum Alan (PWSCF) programı kullanılarak incelenmiştir. BN yarıiletkeninden oluşturulan 0.72 nm, 0.92 nm ve 1.45 nm olmak üzere üç farklı çapta modellenen nanotellerin merkez atomu yerine Cr ve Mn atomları katkılanarak elektronik özellikleri araştırılmıştır. Cr ve Mn katkısının, nanotellerin bant aralığının daralmasına ve iletkenliğin artmasına neden olduğu belirlenmiştir. Spin polarize durumlar incelendiğinde 0.92 nm çaplı Cr katkılı BN nanotelinin toplam durum yoğunluğunun spin yukarı ve spin aşağı durumları simetrik bir yapı göstermektedir. Bununla beraber, diğer tüm nanotellerin toplam durum yoğunluklarından antisimetrik yapı elde edilmiştir.
abstract
In this thesis, structural and electronic properties of bulk structure of BN semiconductor in Zinc blende and nanowires with different diameter in the (001) direction have been examined by using Plane Wave Self Consistent Field (PWSCF) based on Density Functional Theory. The electronic properties of BN semiconductor nanowires with different diameter 0.72 nm, 0.92 nm and 1.45 nm have been investigated by substitutioning centre atom of these nanowires with either Cr or Mn atoms. Substitution of Cr and Mn, the nanowires is determined that the band gap narrowing and cause increased conductivity. In the analysis of spin polarized states, it is observed that in 0.92 nm diameter Cr doped BN nanowire, spin up and spin down states show symmetric structure. However, for all other nanowires antisymmetric structure has been obtained from the total density of states.
abstract
In this thesis, structural and electronic properties of bulk structure of BN semiconductor in Zinc blende and nanowires with different diameter in the (001) direction have been examined by using Plane Wave Self Consistent Field (PWSCF) based on Density Functional Theory. The electronic properties of BN semiconductor nanowires with different diameter 0.72 nm, 0.92 nm and 1.45 nm have been investigated by substitutioning centre atom of these nanowires with either Cr or Mn atoms. Substitution of Cr and Mn, the nanowires is determined that the band gap narrowing and cause increased conductivity. In the analysis of spin polarized states, it is observed that in 0.92 nm diameter Cr doped BN nanowire, spin up and spin down states show symmetric structure. However, for all other nanowires antisymmetric structure has been obtained from the total density of states.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Nanotel, Katkı Atomu, Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi, BN, Nanowire, Doped Atom, Density Functional Theory
