Kuantum tellerinde geometri, elektrik alan ve yabancı atom pozisyonunun bağlanma enerjisine etkileri

dc.contributor.advisorUlaş, Mustafa
dc.contributor.authorÇiçek, Engin
dc.date.accessioned2014-04-09T10:49:18Z
dc.date.available2014-04-09T10:49:18Z
dc.date.issued2004
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractDairesel ve kare kesitli AlAs/GaAs kuantum tellerinde, elektrik alanın, verici yabancı atomun hidrojenik ve non-hidrojenik bağlanma enerjileri üzerindeki etkileri incelenmiştir. Etkin kütle yaklaşımında, varyasyon metod ile verici yabancı atomun hidrojenik ve non-hidrojenik bağlanma enerjilerini tel genişliği, yabancı atom pozisyonu ve uygulanan elektrik alanın bir fonksiyonu olarak hesapladık. Sonuçlar gösterdi ki verici yabancı atomun merkez civarında bulunduğu durumda, verici yabancı atomun non-hidrojenik bağlanma enerjisi, hidrojenik bağlanma enerjisinden daha büyüktür. iki modelde merkezdeki verici yabancı atomun bağlanma enerjileri arasındaki fark, merkez dışındaki yabancı atom pozisyonlarına göre, kuantum telinin genişliği azaldıkça daha hızlı artar. Her iki model için, verici yabancı atomun bağlanma enerjilerinin uygulanan elektrik alana duyarlılığının aynı olduğu bulunmuştur.en_US
dc.description.abstractThe effect of the electric field on the non-hydrogenic and hydrogenic binding energies of a donor impurity in cylindrical and square cross sectional AlAs/GaAs quantum well wires (QWWs) were investigated. Within the effective mass approximation, we calculate hydrogenic and non-hydrogenic binding energies of donor impurity by a variational method as a function of the wire width, donor impurity position and applied electric field. The results show that the non-hydrogenic binding energy of donor impurity located around the centre is larger than that of the hydrogenic binding energy. The difference in binding energy of on-centre donor impurity in the two regimes increases more rapidly with decreasing QWW width than other impurity positions. It has found that the sensitivity of the applied electric field on the donor binding energies in both regime is almost the same.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14551/403
dc.identifier.yoktezid154220en_US
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryDiğeren_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.titleKuantum tellerinde geometri, elektrik alan ve yabancı atom pozisyonunun bağlanma enerjisine etkilerien_US
dc.title.alternativeElectric field impurity position and geometry effects on binding energy in quantum wiresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US
dc.type.descriptionNo: 0112463en_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
0036239.pdf
Boyut:
1.69 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.68 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama: