Kuantum tellerinde geometri, elektrik alan ve yabancı atom pozisyonunun bağlanma enerjisine etkileri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2004
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Dairesel ve kare kesitli AlAs/GaAs kuantum tellerinde, elektrik alanın, verici yabancı atomun hidrojenik ve non-hidrojenik bağlanma enerjileri üzerindeki etkileri incelenmiştir. Etkin kütle yaklaşımında, varyasyon metod ile verici yabancı atomun hidrojenik ve non-hidrojenik bağlanma enerjilerini tel genişliği, yabancı atom pozisyonu ve uygulanan elektrik alanın bir fonksiyonu olarak hesapladık. Sonuçlar gösterdi ki verici yabancı atomun merkez civarında bulunduğu durumda, verici yabancı atomun non-hidrojenik bağlanma enerjisi, hidrojenik bağlanma enerjisinden daha büyüktür. iki modelde merkezdeki verici yabancı atomun bağlanma enerjileri arasındaki fark, merkez dışındaki yabancı atom pozisyonlarına göre, kuantum telinin genişliği azaldıkça daha hızlı artar. Her iki model için, verici yabancı atomun bağlanma enerjilerinin uygulanan elektrik alana duyarlılığının aynı olduğu bulunmuştur.
The effect of the electric field on the non-hydrogenic and hydrogenic binding energies of a donor impurity in cylindrical and square cross sectional AlAs/GaAs quantum well wires (QWWs) were investigated. Within the effective mass approximation, we calculate hydrogenic and non-hydrogenic binding energies of donor impurity by a variational method as a function of the wire width, donor impurity position and applied electric field. The results show that the non-hydrogenic binding energy of donor impurity located around the centre is larger than that of the hydrogenic binding energy. The difference in binding energy of on-centre donor impurity in the two regimes increases more rapidly with decreasing QWW width than other impurity positions. It has found that the sensitivity of the applied electric field on the donor binding energies in both regime is almost the same.
The effect of the electric field on the non-hydrogenic and hydrogenic binding energies of a donor impurity in cylindrical and square cross sectional AlAs/GaAs quantum well wires (QWWs) were investigated. Within the effective mass approximation, we calculate hydrogenic and non-hydrogenic binding energies of donor impurity by a variational method as a function of the wire width, donor impurity position and applied electric field. The results show that the non-hydrogenic binding energy of donor impurity located around the centre is larger than that of the hydrogenic binding energy. The difference in binding energy of on-centre donor impurity in the two regimes increases more rapidly with decreasing QWW width than other impurity positions. It has found that the sensitivity of the applied electric field on the donor binding energies in both regime is almost the same.
