Yarıiletken için yerel olmayan kinetik enerji yoğunluk fonksiyonelinin incelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tezde silisyum, germanyum ve ikili yarıiletken bileşiklerin taban durumunda örgü sabiti, bant aralığı , hacim modülü farklı pseudopotansiyeller kullanılarak hesaplanmış ve çıkan sonuçlar la karşılaştırılmıştır. L iteratür değerlerine en yakın sonucu veren pseudopotansiyel seçilerek bant yapısı ve durum yoğunluğu hem silisyum ve germanyum için hem d e ikili yarıiletken bileşikler , InAs, GaAs , GaP ) için çizilmiştir. Hesaplamalar Quantum Espresso adlı bir modelleme programında Düzlem Dalga Öz Uyumlu Alan bileşeni kullanılarak yapılmıştır. Program sonucundan elde edilen değerler lite ratür değerleriyle karşılaştırılmıştır. Seçilen parametrele rin hesaplanan sonuçlar üzerinde etkisi olduğu görülmüştür.
In this thes is, the lattice constant, band gap and bulk modulus of th e semicondu ctor materials like silicon, g ermanium and binary semiconductors (InAs, GaAs, GaP) are calculated by using different pseudopotentials and and the results are compared to the calculated In addition to that by choosing the best fit pseudo potential given nearest value the band structure and the density of state are plotted both for semiconductors silicon and g e rmanium as well as for semiconductor binary alloys (InAs, GaAs). The calculations were made using the Plane Wa ve Self Consistent Field component in a modeling program called Quantum Espresso. The results obtained from the program were compared with the literature values and it was observed that the parameters used had an effect on the calculated results
In this thes is, the lattice constant, band gap and bulk modulus of th e semicondu ctor materials like silicon, g ermanium and binary semiconductors (InAs, GaAs, GaP) are calculated by using different pseudopotentials and and the results are compared to the calculated In addition to that by choosing the best fit pseudo potential given nearest value the band structure and the density of state are plotted both for semiconductors silicon and g e rmanium as well as for semiconductor binary alloys (InAs, GaAs). The calculations were made using the Plane Wa ve Self Consistent Field component in a modeling program called Quantum Espresso. The results obtained from the program were compared with the literature values and it was observed that the parameters used had an effect on the calculated results
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi, Yarıiletkenler, Elektronik Özellikler, Density Functional Theory, Semiconductors, Electronic properties
