GaAs/GaAIAs kuantum kuyusu
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2013
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, düzgün elektrik alanın simetrik GaAs/AlAs ve GaAs/Ga?,?Al?,?As kuantum kuyularında donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğuna etkisi hesaplanmıştır. Hesaplar etkin kütle yaklaşımıyla varyasyonel yöntemle yapılmıştır. Donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğu ile ilgili sonuçlar kuyu genişliği ve elektrik alanın fonksiyonu olarak verilmiştir. Anahtar Kelimeler : durum yoğunluğu, düzgün elektrik alan, bağlanma enerjisi, kuantum kuyusu
Abstract
In this work ,the influence of an uniform electric field on the donor binding energy and density of state in single symetric GaAs/AlAs and GaAs/Ga?,?Al?,?As quantum wells have been calculated. The calculations have been performed using a variational prosedure within the effective –mass approximation. The results for the binding energies and the density of states as functions as well thicknesses , and electric field have been reported. Keywords : density of states, uniform electric field ,binding energy,quantum well
Abstract
In this work ,the influence of an uniform electric field on the donor binding energy and density of state in single symetric GaAs/AlAs and GaAs/Ga?,?Al?,?As quantum wells have been calculated. The calculations have been performed using a variational prosedure within the effective –mass approximation. The results for the binding energies and the density of states as functions as well thicknesses , and electric field have been reported. Keywords : density of states, uniform electric field ,binding energy,quantum well
Açıklama
Yüksek Lisans Tezi
Anahtar Kelimeler
Durum Yoğunluğu, Düzgün Elektrik Alan, Bağlanma Enerjisi, Kuantum Kuyusu, Density of States, Uniform Electric Field, Binding Energy, Quantum Well
