Tınlaşım tünelleme diyotlarında potansiyel geometrisi etkileri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2020
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Dikdörtgen ve gaussian kesitli potansiyel engel ve kuyu kombinasyonundan oluşan tınlaşım geçişli diyotların elektronik özellikleri tam çözüm yöntemleri ve sayısal çözümleme yöntemleri kullanılarak hesaplanmıştır. Engel-kuyu sayıları ve potansiyel biçimleri ile farklılaştırılmış çeşitli örnekler için akım-gerilim karakteristikleri elde edilmiştir. Bu sonuçlara göre de tınlaşım diyodlarının nasıl düzenlenmesi gerektiği konusunda öneriler sunulmuştur.
The electronic properties of some resonance tunneling diodes, which are the combination of rectangular and Gaussian shaped quantum barriers and wells, have been investigated by using exact solution methods and numerical methods. The current-voltage characteristics for the diode samples, which are diversified by barrier and well numbers in the structure and their potential shapes, have been exhibited. Accordingly, the suggestions are given for the design of the sort of the diodes.
The electronic properties of some resonance tunneling diodes, which are the combination of rectangular and Gaussian shaped quantum barriers and wells, have been investigated by using exact solution methods and numerical methods. The current-voltage characteristics for the diode samples, which are diversified by barrier and well numbers in the structure and their potential shapes, have been exhibited. Accordingly, the suggestions are given for the design of the sort of the diodes.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
kuantum tınlaşım diyotları, potansiyel engelleri, tınlaşım geçişleri, potansiyel kuyuları, akım gerilim karakteristikleri, quantum resonance diodes, potential barriers, potantial wells, current-voltage characteristics
