Yarı iletken kristallerin optik özelliklerinin incelenmesi
| dc.contributor.advisor | Ulubey, Aydın | |
| dc.contributor.author | Durmuş, Ufuk | |
| dc.date.accessioned | 2014-05-05T12:41:28Z | |
| dc.date.available | 2014-05-05T12:41:28Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.department | Enstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı | en_US |
| dc.description | Yüksek Lisans Tezi | tr |
| dc.description.abstract | Yarıiletkenler bilim ve teknoloji için oldukça önemlidir. Çeşitli alanlarda geniş uygulama potansiyeline sahiptirler. GaSe, GaS ve onların GaSxSe1-x katı çözeltilerinin fiziksel özellikleri, optoelektronik cihazlarındaki uygulamaları sebebiyle, temel bilimler ve teknoloji açısından oldukça önemlidir. Kimyasal maddeleri analiz etmek için foto-algılayıcılar gereklidir. Bu algılayıcılar, geniş aralıklı III-VI yarıiletken bileşimlerinin; karışım kristallerinden yapılır. Bu çalışmada tabakalı ve GaSxSe1-x kristallerinin kristal yapısı, optiksel özellikleri, görünür ve kızılötesi spektrum aralığında incelendi. Görünür bölge kenar ölçümleri, Konfokal Raman Mikrospektroskopisi yöntemi ile gerçekleştirildi. İncelemeler sonucunda, GaS, GaSe ve GaSe0.8S0.2 bileşiklerinin Raman Spektropisi ve X Işını Spektroskopisi teknikleri ile atom dizilimleri ve atomlardan yayılan fotonların enerji tabloları oluşturulmuştur. Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, Geçirme, Soğurma, Fonon, Görünür ve Kızılötesi Spektroskopisi, X Işın Spektroskopisi, Raman Saçılması, Konfokal Raman Mikrospektroskopisi | en_US |
| dc.description.abstract | Semiconductors have large importance for science and technology. They have wide application potential for several areas. The physical properties of GaSe, GaS and their GaSxSe1-x solid solutions are significant for basic sciences and technology because of their applications in optoelectronic devices. Photo-detectors are necessary to analyze chemical matters. These detectors are made of the mixed crystals of these crystals. In this work the crystal structure and optical characteristics of the strata and GaSxSe1-x crystals were examined in the integral of visible and infrared spectrum. The edge measurements of visible area were realized via the method of Confocal Raman Microspectroscopy. Thanks to researchs and experiments the energy tables of the photons which spread from atoms and atom sequences are drawn by means of the Raman Spectroscopy of Ga, GaS, GaSe ve GaSe0.8S0.2 compounds and X light spectroscopy techniques. Key Words: Semiconductor, Transmission, Absorption, Phonon, Visible and IR Spectroscopy, Raman scattering, Space Symmetry Group, Confocal Raman Microspectroscopy | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14551/732 | |
| dc.identifier.yoktezid | 245423 | en_US |
| dc.language.iso | tr | en_US |
| dc.publisher | Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | en_US |
| dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
| dc.subject | Yarı İletken Kristaller | en_US |
| dc.subject | Semiconductor Crystals | en_US |
| dc.title | Yarı iletken kristallerin optik özelliklerinin incelenmesi | en_US |
| dc.title.alternative | Investigation of optical properties of semiconductors | en_US |
| dc.type | Master Thesis | en_US |
| dc.type.description | No: 0042570 | en_US |
