‘’Ga1-xAlxAs/AlAs tabanlı kuantum kuyularına hapsedilmiş olan elektronun 1s ve 2s durumu : nümerik hesaplamalar
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2021
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, Ga1-xAlxAs / GaAs malzemeleri ile oluşturulan kuantum kuyuları ele alınmıştır. Bu tür kuyulara hapsedilen bir elektronun, taban durum ve uyarılmış durum dalga fonksiyonları ile enerjileri hesaplanmıştır. Ele alınan malzeme ile oluşturulan kuantum kuyularına düzgün dış elektrik alan uygulanmış ve daha sonra yabancı atomun(safsızlık) ve hidrostatik basıncın etkisine bakılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı göz önüne alınmış ve varyasyon yöntemi kullanılarak yaklaşık çözümler yapılmıştır. Literatür taraması yapıldıktan ve gerekli bilgiler elde edildikten sonra Fortran dilinde yazdığımız programlarla nümerik hesaplamalar yapılmış ve grafikler çizilmiştir. Hesaplamalar için yazılan Fortran programları da tezde sunulmuştur. Sonuç tartışma bölümünde, bulunan sonuçlar değerlendirilmiştir. Kuantum kuyularında hapsedilen bir elektronun enerjilerine, dış elektrik alanın, yabancı atomun konumunun ve hidrostatik basıncın etkisi gözlemlenmiştir.
In this study, quantum wells created with Ga1-xAlxAs / GaAs materials are discussed. The energies of an electron imprisoned in such wells are calculated with ground state and excited state wave functions. A uniform external electric field was applied to the quantum wells formed with the material under consideration and then the effect of the impurity atom and hydrostatic pressure was investigated. The effective mass approach has been taken into consideration and approximate solutions have been made using the variation method. Numerical calculations were made and graphics were drawn with the programs we wrote in Fortran after literature review and necessary information were obtained. Fortran programs written for calculations are also presented in the thesis. In the conclusion discussion section, the results found are evaluated. The effects of external electric field, impurity atom position and hydrostatic pressure on the energies of an electron trapped in quantum wells have been observed.
In this study, quantum wells created with Ga1-xAlxAs / GaAs materials are discussed. The energies of an electron imprisoned in such wells are calculated with ground state and excited state wave functions. A uniform external electric field was applied to the quantum wells formed with the material under consideration and then the effect of the impurity atom and hydrostatic pressure was investigated. The effective mass approach has been taken into consideration and approximate solutions have been made using the variation method. Numerical calculations were made and graphics were drawn with the programs we wrote in Fortran after literature review and necessary information were obtained. Fortran programs written for calculations are also presented in the thesis. In the conclusion discussion section, the results found are evaluated. The effects of external electric field, impurity atom position and hydrostatic pressure on the energies of an electron trapped in quantum wells have been observed.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
yabancı atom, elektrik alan, kuantum kuyusu, bağlanma enerjisi, Impurity, ouantum well, binding energy, electric field
