Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2016
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Özet
Bu tez çalışmasında antisimetrik hapsedici potansiyele sahip GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs kuantum kuyusu ve sonlu hapsedici potansiyele sahip GaAs=AlxGa1??xAs küresel kuantum noktasının merkezinde yer alan yabancı atomun taban durum ve uyarılmış durum bağlanma enerjileri hidrostatik basınç etkisi altında farklı Alüminyum mol kesirleri için hesaplanmış, 2p0 uyarılmış durumu bağlanma enerjisi için dönüm noktaları belirlenmiştir. Bunlara ek olarak, antisimetrik hapsedici potansiyele sahip GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs kuantum kuyusunda diamanyetik duygunluk taban durum ve uyarılmış durumlar için hidrostatik basınç ve Alüminyum mol kesri etkilerinin yanı sıra yabancı atomun konumu değiştirilerek hesaplanmıştır. Hesaplamalar etkin kütle yaklaşımı altında varyasyon metodu ile nümerik olarak yapılmıştır. Yapılan hesaplamalar sonucunda bağlanma enerjileri, 2p0 uyarılmış durumu bağlanma enerjisi için dönüm noktaları ve diamanyetik duygunluğun yabancı atomun hapsedildiği düşük boyutlu yapı, yapının geni¸sliği (ya da yarıçapı), elektronun bulunduğu enerji durumu, hidrostatik basınç, Alüminyum mol kesri ve yabancı atomun yapı içerisindeki konumu gibi parametrelere önemli ölçüde bağlı olduğu görülmüştür.
abstract
In this thesis, the ground state and a few excited state binding energies of a hydrogenic donor impurity located at the center of the asymmetric GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs quantum well and spherical GaAs=AlxGa1 xAs quantum dot has calculated under the influence of hydrostatic pressure and for different Aluminum concentrations, then 2p0 excited state binding energy turning points have optained. Additionally, the diamagnetic susceptibility of an off-centre hydrogenic donor impurity in ground and a few excited state in asymmetric GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs quantum well has been investigated under applied hydrostatic pressure and for different values of Aluminum concentrations. Calculations are carried out using the effective mass approximation within a variational approach. It has been observed that binding energies, 2p0 excited state binding energy turning points and diamagnetic susceptibilities are strongly dependent on the kind of low-dimensional structure that hydrogenic donor impurity has been confined, structure width (or radius), impurity state, hydrostatic pressure, Aluminum concentration and impurity location.
abstract
In this thesis, the ground state and a few excited state binding energies of a hydrogenic donor impurity located at the center of the asymmetric GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs quantum well and spherical GaAs=AlxGa1 xAs quantum dot has calculated under the influence of hydrostatic pressure and for different Aluminum concentrations, then 2p0 excited state binding energy turning points have optained. Additionally, the diamagnetic susceptibility of an off-centre hydrogenic donor impurity in ground and a few excited state in asymmetric GaAs=Alxl;rGa1??xl;rAs quantum well has been investigated under applied hydrostatic pressure and for different values of Aluminum concentrations. Calculations are carried out using the effective mass approximation within a variational approach. It has been observed that binding energies, 2p0 excited state binding energy turning points and diamagnetic susceptibilities are strongly dependent on the kind of low-dimensional structure that hydrogenic donor impurity has been confined, structure width (or radius), impurity state, hydrostatic pressure, Aluminum concentration and impurity location.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Bağlanma Enerjisi, Hidrostatik Basınç, Kuantum Kuyusu, Kuantum Noktası, Diamanyetik Duygunluk, Uyarılmış Durumlar, Turning Point, Hydrostatic Pressure, Quantum Well, Quantum Dot, Binding Energy, Diamagnetic Susceptibility, Excited States
