Çoklu kuantum tel ve noktalarının elektronik özellikleri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2008
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, güncel teknolojik uygulamalarda önemli bir yer tutan kuantum kuyu telleri ve kuantum noktalarının elektronik özellikleri incelenmiştir. Hesaplamalar efektif kütle yaklaşımı içinde sonlu farklar yöntemi ve varyasyonel yöntem kullanılarak yapılmıştır. Temel olarak eşmerkezli kare kesitli GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu teli, farklı biçimli kuantum telleri ve eşmerkezli küresel GaAs/AlxGa1-xAs kuantum noktası çalışılmıştır. Eşmerkezli kare kesitli kuantum kuyu teli içinde hapsedilen bir elektrona düzgün uygulanan elektrik ve manyetik alanın etkileri araştırılmıştır. Bu yapıda bağlanma enerjisi, yabancı atomun konumu, bariyer genişliği ve elektrik alan şiddetinin fonksiyonu olarak hesaplanmıştır. Bağlanma enerjisinin değişimlerinin elektronun gördüğü potansiyel enerjiye, yabancı atomun konumuna, düzgün uygulanan elektrik alan şiddetine bağlı olduğu bulunmuştur. Farklı biçimli kuantum tellerinde yapıların sahip olduğu geometrilerin ve dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alanın yabancı atom bağlanma enerjisi üzerindeki etkileri incelenmiştir. Ayrıca eşmerkezli küresel kuantum noktasında bağlanma enerjisinin bariyer genişliği ile değişimleri araştırılmıştır.
In this work, the electronic properties of quantum well wires and quantum dots, which have a great importance in technological applications, are investigated. The calculations are performed using the finite difference numerical method and variational method within the effective mass approximation. Basically, coaxial square cross sectional GaAs/AlxGa1-xAs quantum well wire, quantum wires of different shapes and coaxial spherical GaAs/AlxGa1-xAs quantum dot are studied. The effects of uniform applied electric and magnetic fields on an electron confined in the coaxial square cross sectional quantum well wire are investigated. In this structure, the binding energy is calculated as a funciton of the impurity position, the barrier widht, electric and magnetic field strength. It is found that, the changes in the binding energy occurs depending on the magnitude of the potential enegry walls, the position of the impurity, and the applied uniform electric field strength. The effects of the geometrical shapes of the structures and the applied electric and magnetic fields on the impurity binding energy are investigated for the quantum wires of different shapes. Also, the changes in the binding energy are investigated depending on the barrier widht for the coaxial spherical quantum dot .
In this work, the electronic properties of quantum well wires and quantum dots, which have a great importance in technological applications, are investigated. The calculations are performed using the finite difference numerical method and variational method within the effective mass approximation. Basically, coaxial square cross sectional GaAs/AlxGa1-xAs quantum well wire, quantum wires of different shapes and coaxial spherical GaAs/AlxGa1-xAs quantum dot are studied. The effects of uniform applied electric and magnetic fields on an electron confined in the coaxial square cross sectional quantum well wire are investigated. In this structure, the binding energy is calculated as a funciton of the impurity position, the barrier widht, electric and magnetic field strength. It is found that, the changes in the binding energy occurs depending on the magnitude of the potential enegry walls, the position of the impurity, and the applied uniform electric field strength. The effects of the geometrical shapes of the structures and the applied electric and magnetic fields on the impurity binding energy are investigated for the quantum wires of different shapes. Also, the changes in the binding energy are investigated depending on the barrier widht for the coaxial spherical quantum dot .
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
