Kuantum noktasında elektrik alan ve sıcaklığın bağlanma enerjisine etkileri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2009
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, küresel bir GaAs/AlAs kuantum noktasındaki bir hidrojenik atomun bağıl enerjisi etkin kütle yaklaşımının sınırsız değeri hesaba katılarak hesaplanmıştır. Biz, etkin kütle yaklaşımı kullanarak, yabancı atomun farklı konumları için kuantum noktasının bir fonksiyonu olarak taban durum enerjisini elde ettik. Varyasyon metodu kullanılarak elde ettiğimiz sonuçlar üzerinde elektrik alan ve sıcaklığın etkisi tartışıldı. Sonuçlar, noktanın boyutundaki bir küçülme ile yabancı atomun bağıl enerjisinde artış olduğunu göstermektedir. Bağıl enerji yabancı atomun konumuna bağlı olarak da bulunur. Ek olarak, elektrik alanı ve sıcaklığın artmasıyla bağlanma enerjisi azalır.
The binding energy of a hydrogenic donor in aspherical GaAs /AlAs quantum dot is calculated by taking into account the infinite value of the barrier potential. Using the effective mass approximation we obtained the energy of the ground state as a function of the dot size for different impurity position. Effects of electric field and temperature are discussed on the results obtained using variotinal method. The results show that the impurity binding energies increases with a reduction in the dot dimension. The binding energy is also found to depend on the location of the impurity. In addiction, the binding energy decreases with increasing the electric field and temperature.
The binding energy of a hydrogenic donor in aspherical GaAs /AlAs quantum dot is calculated by taking into account the infinite value of the barrier potential. Using the effective mass approximation we obtained the energy of the ground state as a function of the dot size for different impurity position. Effects of electric field and temperature are discussed on the results obtained using variotinal method. The results show that the impurity binding energies increases with a reduction in the dot dimension. The binding energy is also found to depend on the location of the impurity. In addiction, the binding energy decreases with increasing the electric field and temperature.
Açıklama
Yüksek Lisans Tezi
Anahtar Kelimeler
Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Elektrik Alanları, Electric Fields
