Hidrojenik olmayan yapıların elektronik özellikleri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2006
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada sonlu kare ve dairesel kesitli GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum tellerinde verici yabancı atomun hidrojenik ve hidrojenik olmayan bağlanma enerjileri üzerine elektrik alan etkileri incelenmiştir. Hidrojenik ve hidrojenik olmayan bağlanma enerjileri, yabancı atom hesaba katılarak elektrik alan, tel genişliği ve Al konsantrasyonunun bir fonksiyonu olarak araştırılmıştır. Sonuçlar verici yabancı atomun merkez yakınlarında bulunması durumunda, hidrojenik olmayan bağlanma enerjisinin hidrojenik bağlanma enerjisinden büyük olduğunu gösterir. İki modelde de merkezdeki verici yabancı atomun bağlanma enerjileri arasındaki fark, merkez dışındaki yabancı atom konumlarına göre, kuantum telinin genişliği azaldıkça daha hızlı artar. Her iki modelde de, verici yabancı atomun bağlanma enerjilerinin uygulanan elektrik alana duyarlılığının aynı olduğu bulunmuştur.
In this study, the effect of the electric field on the hydrogenic and non- hydrogenic binding energies of a donor impurty in finite square and cylindirical cross sectional GaAs/Ga1-xAlxAs quantum well wires (QWWs) are considered. Taking into account the impurity ion, the hydrogenic and non-hydrogenic binding energies are investigated as a function of the electric field, wire width and concantration of Al. The re sults show that the non-hydrogenic binding energy of donor impurity located around the center is larger than that of the hydrogenic binding energy. The difference in binding energy of on center donor impurty in two regimes increases more rapidly with decreasing QWW width than other impurity positions. It has found that the sensitivity of the applied electric field on the donor binding energies is almost the same in the both regime.
In this study, the effect of the electric field on the hydrogenic and non- hydrogenic binding energies of a donor impurty in finite square and cylindirical cross sectional GaAs/Ga1-xAlxAs quantum well wires (QWWs) are considered. Taking into account the impurity ion, the hydrogenic and non-hydrogenic binding energies are investigated as a function of the electric field, wire width and concantration of Al. The re sults show that the non-hydrogenic binding energy of donor impurity located around the center is larger than that of the hydrogenic binding energy. The difference in binding energy of on center donor impurty in two regimes increases more rapidly with decreasing QWW width than other impurity positions. It has found that the sensitivity of the applied electric field on the donor binding energies is almost the same in the both regime.
Açıklama
Yüksek Lisans Tezi
Anahtar Kelimeler
Verici Yabancı Atom, Kuantum Telleri, Elektrik Alan, Shallow Donor Impurity, Quantum Well Wires, Electric Field
