Yazar "Boz, Figen Karaca" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 5 / 5
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    The binding energy of hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot
    (Elsevier Science Bv, 2008) Aktas, Saban; Boz, Figen Karaca
    The binding energy of a hydrogenic impurity of a multilayered spherical GaAs-(Ga,Al)As quantum dot has been investigated as a function of the barrier thickness and the inner dot thickness for various barrier potentials in the effect of the band non-parabolicity. Within the effective mass approximation, the ground state energy has been calculated using the fourth-order Runge-Kutta method. The ground state binding energy of hydrogenic impurity located at the center of a quantum dot has been studied with a variational approach. We have found that a variation in the binding energy has depended on the geometry of the dot. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Düşük boyutlu yapılarda yabancı atom problemi ve eksitonları
    (Trakya Üniversitesi, 2005) Boz, Figen Karaca; Aktaş, Şaban
    iDoktora TeziDüşük Boyutlu Yarı İletken Yapılarda Yabancı Atom Problemi ve EksitonlarTrakya Üniversitesi Fen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim DalıÖZETBu çalışmada, güncel teknolojik uygulamalarda önemli bir yer tutan düşükboyutlu yarı iletken yapıların fiziksel özellikleri incelenmiştir. Temel olarakGaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu tellerinde hapsedilen bir elektronun özellikleriçalışılmıştır. Hesaplamalar efektif kütle yaklaşımı içinde varyasyon metodu vedördüncü-derece Runge Kutta nümerik metodu kullanılarak yapılmıştır. Kuantum kuyutellerinde iki geometrik yapı üzerinde hesaplamalar yapılmıştır. Bu yapılardan biridikdörtgen kesitli üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu teli ve diğeri coaxialGaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu telidir. Bu kuantum telleri içinde hapsedilen birelektrona düzgün uygulanan elektrik ve manyetik alanın etkileri araştırılmıştır.Bağlanma enerjisinin keskin değişimleri, elektronun gördüğü potansiyel enerjiye,yapının boyutlarına, yabancı atomun konumuna, düzgün uygulanan elektrik vemanyetik alan şiddetlerine bağlı olduğu bulunmuştur. Bu yüzden, dışarıdan uygulananalanlar kuantum tellerinin elektronik ve optik özellikleri üzerine önemli bir etkisiolduğu gösterilmiştir.Literatürde düşük boyutlu yapıların fiziksel özelliklerini veren birbirinden çokfarklı yapı sabitleri( dielektrik sabiti, yasak enerji aralığı formülü ve bant oranı sabitleri)bulunmaktadır. Bu çalışmada kuantum kuyularında deneyle uyumlu en uygun yapısabitlerini belirlemek için eksiton geçiş enerjilerini nümerik olarak hesaplanmıştır.Yıl :2005Sayfa :84Anahtar Kelimeler: Kuantum Kuyu Teli, Manyetik Alan, Elektrik Alan,Yabancı Atom,Bağlanma Enerjisi
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Energy levels of GaAs/AlxGa1-xAs/AlAs spherical quantum dot with an impurity
    (Elsevier Science Bv, 2016) Boz, Figen Karaca; Nisanci, Beyza; Aktas, Saban; Okan, S. Erol
    We have calculated the energy levels and the radial probability distributions of an electron with an impurity in a spherical quantum dot which is layered as GaAs/AlxGa1-xAs/AlAs. The numerical method used is the fourth-order Runge-Kutta method in the framework of the effective mass approximation. The variation of the energy levels have been calculated as functions of the radius of the GaAs sphere and the thickness of AlxGa1-xAs spherical layer considering effective mass and dielectric constant mismatches. The results have presented the importance of the geometry on the electronic properties of the spherical GaAs/AlxGa1-xAs/AlAs quantum dot. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Geometric effects on energy states of a hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot
    (Elsevier Science Bv, 2009) Boz, Figen Karaca; Aktas, Saban; Bilekkaya, Abdullah; Okan, Sevket Erol
    The energy states of a hydrogenic impurity, located at the center of a multilayered spherical quantum dot, are calculated as functions of the barrier thickness and the inner dot thickness by using a fourth-order Runge-Kutta method. It is shown that the method is able to calculate all the energy states for any potential pro. le in the dot. Also, the binding energies show dramatic changes in comparison with those of single spherical quantum dots. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Theoretical suggestions of resonant tunneling diodes and laser field effects on their current-voltage characteristics
    (Academic Press Ltd- Elsevier Science Ltd, 2019) Okan, S. Erol; Boz, Figen Karaca; Aktas, Saban
    Several resonance-tunneling diodes are modelled for a fixed resonance energy. The theoretically suggested diodes are classified according to their local potentials differed by the doping concentrations. The electronic properties of the diodes are explored in the framework of numerical calculations. In addition, the laser field effects on the latter properties are reported. They show that the laser field application enriches the functionality of these devices in applications.