Yazar "Boz, Figen" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 3 / 3
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe 156-162Dy İZOTOPLARINININ BAZI ELEKTROMANYETİK ÖZELLİKLERİNİN ETKİLEŞEN BOZON MODELİ İLE İNCELENMESİ(Trakya Üniversitesi, 2004) Boz, FigenBu çalışmada 156-162Dy izotoplarının enerji düzeylerini ve bunlar arasındaki elektromanyetik geçiş oranlarını hesaplamak için etkileşen bozan modelinin SU(3) dönme limiti kullanıldı. Dy izotoplarının taban durum bandı 01+, 21+, 41+, 61+, ß bandı 02+, 22+, 42+ ve y bandı 23+, 31+, 43+ enerji seviyeleri hesaplandı. Ayrıca bu izotoplar için B(E2) geçiş olasılık değerleri ve B(E2;2 ›2) / B(E2;4›2) oranları hesaplandı. Hesaplanan değerler diğer teorik hesaplamatarla ve deneysel sonuçlarla karşıtaştırldı. Elde edilen sonuçların diğer sonuçlarla uyumlu olduğu görüldü.Öğe The binding energy of a hydrogenic impurity in triple GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ quantum well-wires under applied electric field(2004) Aktaş, Şaban; Boz, FigenTel sisteminin ekseni, boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.Öğe The Binding Energy of a Hydrogenic Impurity in Triple Gaas/Alxga1-Xas Quantum Well-Wires Under Applied Electric Field(Trakya Üniversitesi, 2004) Aktaş, Şaban; Boz, FigenTel sisteminin ekseni boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.
