The binding energy of a hydrogenic impurity in triple GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ quantum well-wires under applied electric field
Küçük Resim Yok
Tarih
2004
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Tel sisteminin ekseni, boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Kaynak
Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
5
Sayı
2
