Yazar "Aktaş, Şaban" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 4 / 4
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe The binding energy of a hydrogenic impurity in triple GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ quantum well-wires under applied electric field(2004) Aktaş, Şaban; Boz, FigenTel sisteminin ekseni, boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.Öğe The Binding Energy of a Hydrogenic Impurity in Triple Gaas/Alxga1-Xas Quantum Well-Wires Under Applied Electric Field(Trakya Üniversitesi, 2004) Aktaş, Şaban; Boz, FigenTel sisteminin ekseni boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.Öğe Düşük boyutlu AlxGa1,xAs/GaAs sistemlerin elektronik özellikleri(Trakya Üniversitesi, 1998) Aktaş, Şaban; Tomak, MehmetÖZET Güncel teknolojik uygulamalarda önemli bir yer tutan kuantum kuyularının fiziksel özellikleri incelenmiştir. Temel olarak GaAs/AlxGaı-xAs kuantum kuyuları alınmıştır. Bu tür kuyuların kristal yapışma eklenen sığ donor ve akseptör olarak isimlendirilen yabancı atomların, elektrik veya manyetik alan uygulanmasıyla ve yabancı atom konumunun değiştirilmesi ile meydana gelen fiziksel değişimler incelenmiştir. Ayrıca yabancı atomun elektronlarla etkileşmesi sabit ve uzaysal bağımlı olmak üzere iki farklı perdeleme altında irdelenmiştir. Bu çalışmalar tek ve birden fazla kuantum kuyusunun bir araya gelmesi ile oluşan yapılarla, simetrik ve asimetrik kuantum kuyularına çeşitlendirilmiştir. Dördüncü mertebeden Runge-Kutta ve Hasse varyasyonel hesaplama yöntemleri kullanılan nümerik yöntemlerdir. Hesaplamalar sonucunda yabancı atom bağlanma enerjisinin kuyu ve engel genişliğine, uygulanan elektrik ve manyetik alana bağlılıkları teorik olarak gösterilmiştir. Sonuçlar limit durumlarda benzeri çalışmalarla uyum içerisindedir. Uzaya bağımlı dielektrik fonksiyonun bir dielektrik sabit kullanımına kıyasla akseptör bağlanma enerjisini arttırırken donor ve eksitonlar üzerinde etkin olmadığı görülmüştür. Akseptör geçiş enerjilerinde dielektrik fonksiyonun sabit olarak alınmasının deneyle daha iyi uyum sağladığı bulunmuştur.Öğe Sonlu kuantum kuyularının elektronik özellikleri(Trakya Üniversitesi, 1992) Aktaş, Şaban; Akbaş, HasanÖZET Bir boyutlu potansiyel kuantum kuyusu içindeki taşıyıcı elektronların elektronik özelliklerini, düzgün elektrik alan altında, Zamandan Bağımsız Pertürbasyon ve Hasse yaklaşım yön temleriyle incelemeyi amaçlayan bu çalışmada izlenen plan aşağıdaki biçimdedir. I. Bölümde, genel bağıntılar yardımıyla ön bilgiler veril di. Ayrıca bir boyutlu potansiyel kuyusunun çözümü yapıldı. II. Bölümde, elektrik alan altındaki potansiyel kuantum kuyusunun içindeki elektronun elektronik özelliklerini hesaplamak için kullandığımız iki yaklaşım yöntemi hakkında bilgi verildi. III. Bölümde, kullandığımız iki yaklaşım yöntemi için nümerik hesaplamalar yaparak, potansiyel kuantum kuyusunun içindeki elektronun elektronik özellikleri hesaplandı.
