Bilekkaya, Abdullah2024-06-122024-06-1220212146-05742536-4618https://doi.org/10.21597/jist.868773https://search.trdizin.gov.tr/yayin/detay/1145047https://hdl.handle.net/20.500.14551/12812İçten dışa eş-eksenli silindirik ????????/????????/??????1 ????1???1 ????/????????/??????2 ????1???2 ???? katmanlarından oluşan bir kuantum telindeki ağır-deşik ve hafif-deşik eksitonlarının bağlanma enerjileri dış elektrik alan etkisi altında elde edilmiştir. Hesaplamalar sayısal olarak 4. Derece Runge-Kutta ve varyasyonel yaklaşım yöntemlerinin birleşimi kullanılarak yapılmıştır. Eksiton bağlanma enerjileri yapıdaki GaAs tel kalınlıklarına ve uygulanan dış elektrik alan şiddetine bağlı olarak bulunmuştur. Sonuçlar eksiton bağlanma enerjilerinin belli yapısal parametre değerlerinde teknolojide kullanışlı olabileceği düşünülen keskin değişimler gösterdiği ve elektrik alanın da bağlanma enerjileri üzerinde önemli etkilere sahip olduğu gözlenmiştir.tr10.21597/jist.868773info:eu-repo/semantics/openAccessArticle114278227891145047