Aktaş, ŞabanBoz, Figen2024-06-122024-06-1220041305-6468https://search.trdizin.gov.tr/yayin/detay/39555https://hdl.handle.net/20.500.14551/15562Tel sisteminin ekseni, boyunca dik uygulanan bir dış elektrik alan etkisine maruz kalan üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu tel sisteminde, hidrojenik yabancı atomun taban durum bağlanma enerjisi çalışıldı. Elektrik alan etkisinde, valans subband enerjileri ve dalga fonksiyonları dördüncü derece Runge-Kutta metodu kullanılarak hesaplandı. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için varyasyonel metot kullanılmıştır. Bağlanma enerjisi hesapları tel kalınlığının, elektrik alanın ve yabancı atomun konumunun fonksiyonu olarak incelenmiştir. Üçlü GaAs/$Al_x Ga_{1-x}As$ kuantum kuyu telinde hidrojenik yabancı atomun bağlanma enerjisi için nümerik sonuçlar keskin bir artma veya azalma gösterir ki bu uygun şartlar mevcut olduğunda devre elemanları uygulamalarında önemli olabilir.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessArticle5215916539555