Adıyaman, RecepAkbaş, Hasan2017-04-202017-04-202013https://hdl.handle.net/20.500.14551/2136Yüksek Lisans TeziBu çalışmada, düzgün elektrik alanın simetrik GaAs/AlAs ve GaAs/Ga?,?Al?,?As kuantum kuyularında donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğuna etkisi hesaplanmıştır. Hesaplar etkin kütle yaklaşımıyla varyasyonel yöntemle yapılmıştır. Donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğu ile ilgili sonuçlar kuyu genişliği ve elektrik alanın fonksiyonu olarak verilmiştir. Anahtar Kelimeler : durum yoğunluğu, düzgün elektrik alan, bağlanma enerjisi, kuantum kuyusuAbstractIn this work ,the influence of an uniform electric field on the donor binding energy and density of state in single symetric GaAs/AlAs and GaAs/Ga?,?Al?,?As quantum wells have been calculated. The calculations have been performed using a variational prosedure within the effective –mass approximation. The results for the binding energies and the density of states as functions as well thicknesses , and electric field have been reported. Keywords : density of states, uniform electric field ,binding energy,quantum welltrinfo:eu-repo/semantics/openAccessDurum YoğunluğuDüzgün Elektrik AlanBağlanma EnerjisiKuantum KuyusuDensity of StatesUniform Electric FieldBinding EnergyQuantum WellMaster Thesis307653