Ulaş, MustafaAkbaş, Hasan2024-06-112024-06-111989https://hdl.handle.net/20.500.14551/8910Bu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.Yüksek Lisansiii ÖZ£T Bu çalışmada elektroliz ile silisyum üzerine nikel kaplandı. Sonra bu örnekler 400°C'de normal ortamda tavlandı, Silisyum' un diğer yüzü nikel ile ohmik kontakt yapacak şekil de aynı yöntem ile tekrar kaplandı. Bir yüzü metal küçük direnç gösteren, diğer yüzü ok sitlenmiş, büyük direnç gösteren Schottky diyodu yapıldı. I-V (akım-gerilim) ölçümlerinden diyod parametreleri dört yönteme göre bulundu. ve yöntemler arasında karşılaştırma ya pılarak, diyod direncinin sıcaklıkla değişimi incelendi. Son olarak deneyle teorinin karşılaştırılması yapıl dı.iv- SUMMARY Silicon wafers (n-si) are nickel plated by electro- less then samples heated to 400 C in open atmosphere. The apposit face of silicon wafer is nickel electropolated in the same way as before in order to make ohmic contact. One of the face of this nickel plated silicon wafer is metal and have a low ohmic resistance and the ather face oxsidised and have hinh resistance, so a Schottky diode is produced. From I-V (carrent-voltage) measurement diode para meters are obtained by four different methods and comparing the results of differents methots, variation of temperature is studied. The axpremental results are compared with the ore- tical expectations.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessFizik ve Fizik MühendisliğiPhysics and Physics EngineeringMaster Thesis15438992