Özkişi, Harun2014-03-012014-03-012010https://hdl.handle.net/20.500.14551/158Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessYoğunluk Fonksiyonel TeorisiÖrgü Sabiti Uyuşmayan YarıiletkenlerBulk HeteroyapılarEtkin PotansiyelMaster Thesis269622