Sucu, SerpilMinez, SemaAkbaş, Hasan2021-11-202021-11-2020172147-0308https://dergipark.org.tr/tr/pub/tujes/issue/31296/311191https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/387323https://hdl.handle.net/20.500.14551/7598Bu çalışmada sıcaklık ve hidrostatik basınç etkisialtında simetrik AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAsve antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/ AlxRGa1-xRAskuantum kuyularında engel yükseklik oranlarının etkileri, etkin kütleyaklaşımında varyasyonel yöntem kullanılarak çalışıldı. Taban durum yabancıatom enerjileri, yabancı atom enerjisisnin dönüm noktaları ve  taban durum normalize edilmiş bağlanmaenerjileri hesaplandı. Sıcaklık, hidrostatik basınç, farklı engel yüksekliklerive yabancı atom konumunun, taban durum yabancı atom enerjisini ve yabancı atomenerjisinin dönüm noktalarını önemli ölçüde değiştirdiği gösterildi.In this work, we studied the effects of barrier height ratio VL/VR on symmetric AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAsand asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum wells under the presence of hydrostatic pressure andtemperature by using variational method with in the effective mass approximation. We calculated ground state impurityenergies, impurity energy turning points and ground state normalized binding energies as functions of the impurity position.We observed that the ground state impurity energies and impurity energy turning points depends strongly on hydrostaticpressure, temperature, different barrier heights and impurity positions.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessDönüm noktasıSıcaklıkHidrostatik basınçBağlanma enerjisiTurning pointTemperaturehydrostatic pressureBinding energiesNormalized binding energiesArticle182137143311191