Tabakalı yarıiletkenlerin konfokal raman ve fotolüminesans spektrumları
| dc.contributor.advisor | Ulubey, Aydın | |
| dc.contributor.author | Erim, Ahmet Serdar | |
| dc.date.accessioned | 2017-04-18T13:57:39Z | |
| dc.date.available | 2017-04-18T13:57:39Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.department | Enstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı | en_US |
| dc.description.abstract | Yarıiletkenler bilim ve teknoloji için oldukça önemlidir. GaSe, GaS ve onların GaSxSe1-x katı çözeltilerinin fiziksel ö z e ll ik le r i, optoelektronik cihazlarındaki uygulamaları sebebiyle, temel bilimler ve teknoloji açısından oldukça önemlidir. Kimyasal maddeleri analiz etmek için foto-algılayıcılar gereklidir. Bu algılayıcılar, geniş aralıklı III-VI yarıiletken bileşimlerinin; karışım kristallerinden yapılır. Bu çalışmada GaSxSe1-x kristallerinin kristal yapısı, optiksel özellikleri, görünür ve kızılötesi spektrum aralığında incelendi. Görünür bölge kenar ölçümleri, K onfokal Ram a n Mikrospektroskopisi yöntemi ile gerçekleştirildi. İncelemeler sonucunda, GaS, GaSe ve GaSe1-xSx (0 ? x ? 1) bileşiklerinin R a m a n Spektroskopisi ve X Işını Spektroskopisi teknikleri ile atomik dizilimleri ve atomlardan yayılan fotonların enerji tabloları oluşturulmuştur. | en_US |
| dc.description.abstract | Abstract | en_US |
| dc.description.abstract | Semiconductors have large importance for science and technology. The physical properties of GaSe, GaS and their GaSxSe1-x solid solutions are significant for basic sciences and technology because of their applications in optoelectronic devices. Photo-detectors are necessary to analyze chemical matters. These detectors are made of the mixed crystals of these crystals. In this work the crystal structure and optical characteristics of GaSxSe1-x crystals were examined in the integral of visible and infrared spectrum. The edge measurements of visible area were realized via the method of Confocal Raman Microspectroscopy. Thanks to researchs and experiments the energy tables of the photons which emitted f r o m atoms a n d atomic sequences are obtained by means of the Raman Spectroscopy of Ga, GaS, GaSe ve GaSe1-xSx compounds and X light spectroscopy techniques. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14551/2049 | |
| dc.identifier.yoktezid | 300182 | en_US |
| dc.language.iso | tr | en_US |
| dc.publisher | Trakya Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Yarıiletken | en_US |
| dc.subject | Geçirme | en_US |
| dc.subject | Soğurma | en_US |
| dc.subject | Fonon | en_US |
| dc.subject | Görünür ve Kızılötesi Spektroskopisi | en_US |
| dc.subject | X Işın Spektroskopisi | en_US |
| dc.subject | Raman Saçılması | en_US |
| dc.subject | Konfokal Raman Mikrospektroskopisi | en_US |
| dc.title | Tabakalı yarıiletkenlerin konfokal raman ve fotolüminesans spektrumları | en_US |
| dc.title.alternative | Confocal raman and photoluminescence spectra of layered semiconductors | en_US |
| dc.type | Master Thesis | en_US |
